安藤　秀幸 (Hideyuki ANDO)


　
一般財団法人ファジィシステム研究所 主任研究員

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共同研究開発センター
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略歴

2001年12月 財団法人 ファジィシステム研究所 研究員
2006年10月 財団法人 ファジィシステム研究所 主任研究員
2010年　7月 一般財団法人 ファジィシステム研究所 主任研究員
現在に至る

業績リスト

[国際学会]
  1. Y. Li, R. Katsumura, M. K. Gronroos, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, H. Andoh, T. Morie, Y. Takahashi
    Investigation for Multilevel Memory Capability of ReRAM using Ta2O5-δ Insulator
    IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 78-79, P1-7, Honolulu, Hawaii, USA, June 17-18(17), 2018.（査読あり）
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ.]
  2. Y. Li, R. Katsumura, M. K. Gronroos, A. T.-Fukuchi, M. Arita, H. Ando, T. Morie, Y. Takahashi
    Evaluation of Multilevel Memory Capability of ReRAM Using Ta2O5 Insulator and Different Electrode Materials
    IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 85-86, Kyoto, Japan, June 4-5(4), 2017.（査読あり）
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ.]
  3. M. Harada, H. Ando, T. Morie, A. T. Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa
    Analog Memory Operation of Parallel Connected Resistance Change Memory Devices
    Proc. of the Seventeenth Int. Symp. on Advanced Fluid Information (AFI-2017), pp. 60-61, Sendai, Japan, Nov. 1-3(2), 2017.
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ. and Samukawa Lab, Tohoku Univ.]
  4. M. Jo, R. Katsumura, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, H. Ando, T. Morie
    Analog Memory Characteristics of 1T1R MoOx Resistive Random Access Memory
    IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 78-79, Honolulu, Hawaii, USA, June 12-13(12), 2016. （査読あり）
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ.]
  5. M. Jo, R. Katsumura, A. T. Fukuchi, M. Arita1, Y. Takahashi1, H. Ando, T. Morie, S. Samukawa
    Analog memory operated by MOSFET and MoOx Resistive Random Access Memory
    Proc. of the Sixteenth Int. Symp. on Advanced Fluid Information (AFI-2016), pp. 58-59, Sendai, Japan, Oct. 10-12(11), 2016.
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ. and Samukawa Lab, Tohoku Univ.]
  6. H. Ando, K. Tomizaki, T. Tohara, T. Morie, A. T. Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa
    Spike-based Neural Learning Hardware Using a Resistance Change Memory Device toward Brain-like Systems with Nanostructures
    Proc. of the Sixteenth Int. Symp. on Advanced Fluid Information (AFI-2016), pp. 64-65, Sendai, Japan, Oct. 10-12(11), 2016.
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ. and Samukawa Lab, Tohoku Univ.]
  7. H. Ando, K. Tomizaki, T. Tohara, T. Morie, T. Hiroi, A. Nakane, R. Katsumura, A. Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa
    Analog Memory Operation of Resistance Change Memory with MOSFET for Brain-like LSIs
    Proc. of the Fifteenth Int. Symp. on Advanced Fluid Information (AFI-2015), CRF-R2, pp. 182-183, Sendai, Japan, Oct. 27-29(28), 2015.
    [Collaboration with Takahashi Lab, Hokkaido Univ. and Samukawa Lab, Tohoku Univ.]
  8. T.Takeshita, H. Ogino,H. Ando, T. Kobayashi, R. Sawada
    Detection of micro mirror rotationby applyingmicro displacement sensor
    IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012),( 23rd to 28th September, 2012, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan), C-4-026-011, (2012).
  9. Toshihiro Takeshita, Takuma Iwasaki, Hideyuki Ando, and Renshi Sawada
    Characteristics and Applications of Microsensor Measuring Linear Movement and Inclination Around Two Axes
    JSPS Workshop 2012, (Nov. 19, 2012 at Auditorium Room, CeLS, NUS, Singapore)
  10. Toshihiro Takeshita, Yao Peng, Nobutomo Morita,Hideyuki Ando, Eiji Higurashi and Renshi Sawada
    Characteristics of a Monolithically Integrated, Micro-Displacement Sensor, 2011
  11. T. Takeshita, N. Morita, H. Ando and R. Sawada
    Characteristics of a Monolithically Integrated Micro Displacement Sensor, MNC2010, (Kitakyushu, 10-12, October), 12D-11-127, 2010. R. Sawada, Successful Optical MEMS and their Application, IDW2010, MEET4-1, (1-3, Dec.1-3, 2010, Fukuoka), pp.1603-1606, 2010.
  12. M.Inokuchi, H.Ando, M.Kinosita, K.Akase, Eiji Higurashi and R.Sawada
    Development of a micro displacement sensor with monolithic-integrated two-dimensionally distributed photodiodes, Optical MEMS 2009, (Clearwater FL., Aug 17-20, 2009), WP13, pp.119-120, 2009.
[国内学会]
  1. 李 遠霖, 勝村 玲音, Mika Kristian Gronroos, 福地 厚, 有田 正志, 安藤 秀幸, 森江 隆, 高橋 庸夫
    酸素欠陥を導入したTa2O5-δ抵抗変化型多値メモリ特性の検討
    第65回応用物理学会 春季学術講演会, 講演番号18p-G203-10, p.12-226, 2018年3月17-20(18)日, 早稲田大学（東京）
    [北大との共同研究]
  2. 勝村 玲音, 李 遠霖, Mika Gronroos, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤 秀幸, 森江 隆
    異なる上部電極を有するTa2O5抵抗変化型メモリの多値特性評価
    第64回応用物理学会 春季学術講演会, 講演番号14a-419-5, p. 05-031 2017年3月14-17(14)日, パシフィコ横浜（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
  3. 原田 將敬, 安藤 秀幸, 森江 隆, 勝村 玲音, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    多並列接続Cu-MoOx-Al抵抗変化型メモリのアナログメモリ動作
    第64回応用物理学会 春季学術講演会, 講演番号14a-419-6, p. 05-032, 2017年3月14-17(14)日, パシフィコ横浜（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
  4. 原田 將敬, 安藤 秀幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 高橋 光恵, 酒井 滋樹, 森江 隆
    時間領域アナログニューラル計算ハードウェアのための不揮発性アナログメモリデバイスの評価v 第27回日本神経回路学会全国大会（JNNS2017）, P-77, 2017年9月20-22(21)日, 北九州国際会議場（北九州）
    [北大・高橋研および産総研との共同研究]
  5. 富崎 和正, 森江 隆, 安藤 秀幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価
    電子情報通信学会 NC研究会, Vol. 115, No. 514, pp. 7-12, 2016年3月22日, 玉川大学（東京）
    [北大・高橋研との共同研究]
  6. 安藤 秀幸, 富崎 和正, 森江 隆, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    抵抗変化型メモリ素子を用いたスパイクタイミングによるニューラル学習回路
    電気学会 電子・情報・システム部門大会, 講演番号TC15-2, pp. 461-465, 2016年8月31日-9月2日(2)日, 神戸大（神戸）
    [北大・高橋研との共同研究]
  7. 曹 民圭, 勝村 玲音, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤 秀幸, 森江 隆
    ナノドットアレイデバイスのためのアナログメモリ素子制御の検討
    第77回応用物理学会 秋季学術講演会, 講演番号14p-P6-1, 2016年9月13-16(14)日, 朱鷺メッセ（新潟）
    [北大・高橋研との共同研究]
  8. 勝村 玲音, M. K. Gronroos, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤 秀幸, 森江 隆
    Ta/Ta2O5抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作の検討
    第77回応用物理学会 秋季学術講演会, 講演番号14p-P6-3, 2016年9月13-16(14)日, 朱鷺メッセ（新潟）
    [北大・高橋研との共同研究]
  9. 廣井孝弘, 中根明俊, 勝村玲音, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫, 浦邊大史, 安藤秀幸, 森江隆
    MOSFET挿入による抵抗変化型メモリの抵抗制御
    第62回応用物理学会 春季学術講演会, 講演番号13p-A23-6, p. 12-421, 2015年3月11-14(13)日, 東海大（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
  10. 浦邊大史, 富崎和正, 安藤秀幸, 森江隆, 廣井孝弘, 中根明俊, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫
    MOSFET上に集積化したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリのアナログメモリ動作
    第62回応用物理学会 春季学術講演会, 講演番号13p-A23-7, p. 12-422, 2015年3月11-14(13)日, 東海大（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
  11. 富崎 和正, 安藤 秀幸, 森江 隆, 廣井 孝弘, 中根 明俊, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    MOSFET上に集積化したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリのRESET時多値メモリ動作
    第76回応用物理学会 秋季学術講演会, 講演番号15p-1C-5, p. 12-259, 2015年9月13-16(15)日, 名古屋大（名古屋）
    [北大・高橋研との共同研究]
  12. 廣井 孝弘, 中根 明俊, 藤本 天, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤秀幸, 森江 隆
    Cu-MoOx-Al2O3 抵抗変化型メモリのスイッチ特性
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 講演番号20a-F12-4, p. 013-247, 2014年3月17-20(20)日, 青山学院大（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
  13. 中根 明俊, 廣井 孝弘, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤秀幸, 森江 隆
    Al電極上に作製したWOx薄膜の抵抗スイッチ特性
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 講演番号20a-F12-5, p. 013-248, 2014年3月17-20(20)日, 青山学院大（神奈川）
    [北大・高橋研との共同研究]
[講演・研究会発表]
  1. 竹下俊弘，岩崎拓真，針崎康太，安藤秀幸，澤田廉士
    温度センサ組み込み小型変位センサの開発と応用
    2014年度精密工学会春季大会，オーガナイズドセッションMEMS商業化技術，2014年3月18日-20日，東京大学本郷キャンパス，発表3月18日，E18，2014年（平成26年）， pp363-364, 2014.